Список публикаций, созданных в результате проекта (название, журнал, страна, в которой журнал издается)

7 April, 2021
  1. Rysbaev A.S., Bekpulatov I.R., Igamov B.D., Juraev Sh.X., Rysbaev A.A. Change of electrophysical properties of the Si(111) and Si(100) surface in the process of ion implantation and next annealing.// EuroAsian journal of physics and functional materials, 2019, Vol. 3, No 3, p. 254-259. (Kazakhstan).
  2. A.S. Rysbaev, S.U. Irgashev, A.S.Kasimov, D.Sh. Juraeva, J.B. Khujaniyazov, M.I. Khudoyberdieva Optimal technological modes of ion implantation and following annealing for forming thin nanosized films of silicides // EurAsian journal of physics and functional materials, 2020, 4(1), pp. 50-56. (Kazakhstan).
  3. A.S. Rysbaev, J.B. Khujaniyazov, M.T. Normuradov, A.K. Tashatov, B.D. Igamov, S.T. Abraeva Theoretical explanation of the effect of a decrease in the Si(111) plasmon energy during the implantation of ions with a large dose // Journal of surface Investigation: X-ray, Synchrotron and neutron techniques, 2020, Vol. 14, No. 4, pp. 816-822. (Russian, in Scopus).
  4. M.T. Normuradov, A.S. Rysbaev, J.B. Khujaniyazov, D.A. Normuradov Structure of MeSi siliside films (Me: Li, Rb, K and Cs) according to electron microscopy data and the diffraction of slow electrons // Journal of surface Investigation: X-ray, Synchrotron and neutron techniques, 2020, Vol. 14, No. 5, pp. 1066-1071. (Russian, in Scopus).
  5. Камилов Т.С., Рысбаев А.С., Клечковская В.В., Орехов А.С., И.Х. Турапов. Влияние структурных дефектов в кремнии На формирование фоточувствительных гетероструктур Mn4Si7-Si-Mn4Si7 и Mn4Si7-Si-M.// Узбекский физический журнал, 2019, №1. Том 21. с. 22-28. (Uzbekistan).
  6. Нормурадов М.Т., Нормуродов Д.А., Хужаниёзов Ж.Б., Рысбаев А.С. Влияние разупорядоченности кристаллической структуры ионно-имплантированного кремния, на плотность состояний валентных электронов.// Узбекский физический журнал. 2019,  № 4, Том 21, с.229-234. (Uzbekistan).
  7. Т.С.Камилов, А.С.Рысбаев, И.А.Камардин. А.Т.Бурков. С.В.Новиков. В.В.Клечковская, А.С.Орехов, Б.Д.Игамов. И.Р.Бекпулатов. Получение тонких пленок ВСМ методом магнетронного распыления. // Узбекский физический журнал. № 3. Вып.21, 2019. с.153-157. (Uzbekistan).
  8. T.S. Kamilov, A.S. Rysbaev, V.V. Klechkovskaya,  A.S. Orekhov,  B.D. Igamov, I.R. Bekpulatov. The Influence of Structural Defects in Silicon on the Formation of Photosensitive Mn4Si7–Si–Mn4Si7 and Mn4Si7–Si–M Heterostructures. // Appl. Sol. Energy 2019, 55, p.380–384. (Uzbekistan, in Scopus).